联电致控股公司报告：14nm制程良率突破90%

集微网消息，据台媒经济日报报道，联电将在5月底31日参加股东常会，董事长洪嘉聪在致股东报告书中都反驳，今年面临经济衰退变化多端的更改与地缘政治的再一，将小规模通过创新、差异化的类似于DRAM新技术、卓越的DRAM制造以及多元区域化的产能配置，达成与顾客牢固的策略经济关系，看好在5G、AIoT、EV等大趋势下的导体长期需求的增长。

联电在股东书中都报告了的产品方面的进展。在14nmDRAM新技术方面，目前顾客以14FFC平台其设计的的产品良率已突破90%，效率更保证顾客需求，也已取得成功的新增5G及网通等技术的蓬勃发展，并且顺利进入投产。22nmDRAM部分，与28nm低阶精简型DRAM新技术平台（28HPC）有着相同光罩层数及相容的其设计准则，但22nmDRAM新技术效能进一步提高10％、低功耗降低20％、基体尺寸提高10％，因此，22nmDRAM新技术的成本竞争力大幅进一步提高，进而获取顾客更多选择。

关于显示器涡轮器与额定功率管理DRAM新技术，22nm高强度25VDRAM新技术的LTPO OLED元件涡轮笔记本电脑的产品顺利完成验证程序，今年进入试产；28nm时是微控制器嵌入高强度主动矩阵有机发光二极体（AMOLED）显示屏涡轮笔记本电脑DRAM新技术的开发计划，也顺利完成电子元件模型及其设计规范，同样在今年进入试产。

联电强调，集团在氟化物导体领域，主要布置收发电子元件与第三类导体额定功率电子元件等圣夫低价，砷化镓电子元件部分，针对既有HBT额定功率放大器小规模重新加入SAWWfilter定位方案，获取手机电子零件前端模组与WiFi6／7收发模组定位制造方案。

至于蓬勃发展策略，联电暗示企业预期将小规模受到全球经济不确定性及终端需求不振的制约，的公司会检视原定资本支出计划来作适当更改。至于在中都、长期目标，联电反驳，的公司将DRAM开发和稳定获利作为蓬勃发展集中都精力，将小规模专注于开发计划差异化DRAM新技术以加强顾客竞争力。

联电暗示会在重点项目内相关联在有着新技术差异化及后来居上的类似于DRAM，最主要：微控制器逻辑、双极-互为金属锌导体-双重散布金属锌导体（BCD）、笔记本电脑高强度（eHV）、笔记本电脑非固态存储笔记本电脑（eNVM）、电子零件绝缘导体（RFSOI）等。此外，联电暗示的公司持续蓬勃发展积极投入开发计划氟化物导体氮化镓（GaN）额定功率电子元件与电子零件电子元件DRAM开发计划，锁定高效率继电器额定功率电子元件及电子零件电子元件等低价商机。

（校订/张杰）